Re: EDO-RAM


Subject: Re: EDO-RAM
From: Ingo Wilken (Ingo.Wilken@Informatik.Uni-Oldenburg.DE)
Date: Sat Jun 17 2000 - 14:36:30 CEST


> hat vielleicht jemand 2 x 16MB oder 2 x 32MB EDO-RAM über ?

Das nicht, aber...

> Ich brauche dringend welchen, da meine beiden 16MB-EDOs sich
> nicht mit meinem Board vertragen.

Evtl sind deine RAMs keine EDOs, sondern Fast Page Mode (FPM).
Hier ein paar Tips, wie man das feststellen kann:

# From: Sascha Grewe <sascha.grewe@ewetel.net>
# Newsgroups: de.comp.hardware.misc
# Date: Mon, 12 Jun 2000 10:57:00 +0200
# Message-ID: <3944A5DC.5FD36163@ewetel.net>
#
# Leider ist die Beschriftung von Speicherschaltkreisen nicht einheitlich.
# Die Typenbezeichnung setzt sich zumeist so zusammen:
# Herstellerkürzel, Ziffernfolge(Buchstabenfolge), Bindestrich, Zugriffszeit,
# (Buchstabenfolge). Die in Klammern gesetzten Buchstabenfolgen können
# fehlen und sind für die Identifikation nicht wichtig.
#
# Herstellerkürzel:
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# Fujitsu - MB81
# Hitachi - HM51
# Hyunday - HY51
# IBM - IBM01
# Mitsubishi - M5M41
# Motorola - MCM51
# NEC - PD41
# OKI - MSM51
# Siemens - HYB51 oder HBY31
# Texas Instruments - TMS oder SMJ4
# Toshiba - TC51
#
# Auf das Herstellerkürzel folgt eine Ziffernfolge, die Aufschluß
# über die interne Organisation gibt. Wichtig von dieser Ziffernfolge
# ist nur die letzte Ziffer, denn sie unterscheidet ein EDO- von einem
# FPM-DRAM: "0" steht für ein FPM, "5" oder "9" kennzeichnet
# EDO-DRAM. Befindet sich am Anfang der Zeichenfolge ein "V"
# oder "W" dann arbeitet der Speicherschaltkreis mit 3,3 Volt
# anstatt der üblichen 5 Volt. Siemens kodiert die Betriebsspannung
# gleich mit in Herstellerkürzel´: HYB51 steht für 5 Volt; HBY31 steht
# für 3,3 Volt. Ein Bindestrich gefolgt von einer Ziffer ist für die
# Kodierung der Zugriffszeit zuständig. "-6" oder "-60" steht z.B. für
# 60 Nanosekunden.
#
# Beispiele
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# MB814400...-70 - Fujitsu, 1 Megabit x 4, FPM, 70 Nanosekunden
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# MB814405...-60 - Fujitsu, 1 Megabit x 4, EDO, 60 Nanosekunden
#
# MB81V4400...-60 - Fujitsu, 1 Megabit x 4, FPM, 60 Nanosekunden, 3,3Volt
#
# Gruss
# Sascha

Tschau
Ingo



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